氧化镓是新型超宽禁带半导体质料，拥有优秀的物理化学特征，于微电子与光电子范畴均拥有广漠的运用远景。但因具备高熔点、高温分化和易开裂等特征，是以，年夜尺寸氧化镓单晶制备����APP极其坚苦。

中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、年夜尺寸、高掺杂、低缺陷等标的目的，从年夜尺寸氧化镓热场设计出发，乐成构建了合用在6英寸氧化镓单晶生长的热场布局，冲破了6英寸氧化镓单晶生长技能，具备精良的结晶机能，可用在6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将无力支撑我国氧化镓质料实用化进程以及相干财产成长。

最近几年来，中国电科缭绕国度战略需求，于氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体质料范畴雕琢深耕并取患上庞大冲破以及标记性结果，无力支撑了我国超宽禁带半导体质料的成长。

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